近年來，紫外光電探測產(chǎn)業(yè)呈快速增長的態(tài)勢。自供電紫外光電探測器具有高響應性能、快響應速度等特點，在紫外通信、紫外輻射檢測以及導彈追蹤等眾多領(lǐng)域都有重要的應用前景[1]。目前紫外光電探測器的主流仍為硅（Si）基探測器；Si作為一種間接帶隙半導體（帶隙約為1.12 eV），截止波長約為1100 nm，本征吸收不在紫外波段，故Si基紫外光電探測器需加裝濾光片才能實現(xiàn)高效紫外探測[2]。相比之下，新興的氮化鎵（GaN）材料作為一種直接帶隙半導體，具有更寬的帶隙（約為3.4 eV）和更好的載流子分離能力，突破了Si材料的物理極限[3−5]。

憑借GaN材料的能帶特性，自供電GaN基紫外光電探測器截止波長可達到365 nm，且無需加裝濾光片，體現(xiàn)出遠超Si的紫外探測潛能；同時，GaN出色的熱導率（2.2 W·cm–1·K–1）使器件擁有優(yōu)良的散熱性能；此外，自供電GaN基紫外光電探測器，可在無外加電源下運作，具有更小的尺寸、更低的功耗[6]，極大降低了運行成本并提高系統(tǒng)的便攜性，有利于器件的集成化發(fā)展。

目前，自供電GaN基紫外光電探測器與外延材料已經(jīng)取得長足發(fā)展；主要涉及外延生長、結(jié)構(gòu)設(shè)計與器件集成3方面。（1）在外延生長方面，研究人員提出插入層技術(shù)、低溫生長技術(shù)和選區(qū)生長技術(shù)等控制因GaN與常用襯底之間存在較大的晶格失配和熱失配產(chǎn)生的缺陷，提升GaN材料晶體質(zhì)量[7]；（2）在結(jié)構(gòu)設(shè)計方面，研究人員通過構(gòu)造p–n異質(zhì)結(jié)構(gòu)、肖特基結(jié)構(gòu)等，加速材料內(nèi)電子–空穴對的分離，大幅度提高光利用率、響應度等性能參數(shù)；（3）器件集成方面，探測器與加熱器件、光電子器件等集成，實現(xiàn)多功能化利用。最后，本文還對自供電GaN基紫外光電探測器件發(fā)展面臨的問題及前景進行討論與展望。

1. 外延生長

GaN材料在生長過程中產(chǎn)生的缺陷主要來自于晶格失配、熱失配和殘余應力等，并主要以位錯的形式存在于材料中。在本節(jié)中，綜述了插入層技術(shù)、低溫生長技術(shù)和選區(qū)生長技術(shù)這3種調(diào)控材料內(nèi)部位錯密度的方法。

1.1 插入層技術(shù)

插入層技術(shù)是一種常用的異質(zhì)外延輔助技術(shù)，可有效地控制材料缺陷。通過在襯底上預先沉積插入層，來緩解襯底與材料間因晶格失配、熱失配而產(chǎn)生的應力，進而降低缺陷密度[8]。此外，該技術(shù)還可提高外延材料與襯底的潤濕性[9]，以獲得光滑表面。

氮化鋁（AlN）和鋁鎵氮（AlGaN）作為常用的外延插入層材料，憑借相近的晶格參數(shù)與熱膨脹系數(shù)，可減小GaN與襯底間的晶格失配和熱失配，降低缺陷密度，提高薄膜質(zhì)量和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。2017年，Sun等[10]在四氫碳化硅（4H–SiC）襯底上利用厚度為1.7±0.5 nm的超薄AlN或AlGaN插入層獲得了GaN材料。插入層的存在緩解了內(nèi)部應力，獲得的GaN外延薄膜邊緣位錯密度小于8.90×107cm−2，其原子力顯微鏡（AFM）圖像如圖1(a)所示。

2021年，F(xiàn)eng等[11]通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）法，對碳化硅（SiC）襯底進行三甲基鋁（C3H9Al）預處理后再生長GaN外延薄膜。結(jié)果表明，界面處形成了厚度為90 nm的AlGaN緩沖層。該緩沖層作為掩模，防止GaN外延薄膜生長過程中的位錯向上穿線，有助于降低位錯密度。獲得的薄膜均方根粗糙度（RMS）低至0.28 nm（5 μm×5 μm），螺位錯密度低于6.5×107cm−2，圖1(b)為對應的原子力顯微表征圖，更為重要的是，該研究提供了一種生長插入層的新思路。2022年，Arifin等[12]研究了低溫生長的GaN和AlN作為緩沖層對非極性GaN生長的影響。在未含緩沖層的情況下，生長出的GaN薄膜為多晶結(jié)構(gòu)，較低的成核率使之形成分離的島狀結(jié)構(gòu)。然而，在引入緩沖層充當生長掩膜后，襯底和GaN薄膜之間的界面能降低，加速成核島合并，獲得更光滑的表面，圖1(c)列出了緩沖層作用下的表面形態(tài)。

除了降低位錯密度，插入層還可改善薄膜的電學性能。Chen等[13]通過MOCVD沉積414 nm的超厚AlN插入層，插入層的超級背勢壘（SBB）提升了GaN外延薄膜的電學性能，如圖1(d)所示，其二維電子氣（2DEG）遷移率可達到2199 cm2·V−1·s−1，適合應用于各類光電器件。

1.2 低溫成核層技術(shù)

為進一步降低材料缺陷密度，研究人員將插入層技術(shù)延伸發(fā)展，提出低溫成核層技術(shù)。此技術(shù)常被用于兩步生長法中，先低溫生長成核層，再高溫生長功能層，位錯被限制在成核層內(nèi)，進而降低功能層的位錯缺陷。

早在2009年，Kawamura等[14]就通過實驗證明了兩步生長法可降低GaN位錯密度，如圖2(a)所示。在此基礎(chǔ)上，2015年，Shang等[15]將這一技術(shù)應用于GaN外延薄膜的制備。該團隊報道了藍寶石襯底上采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術(shù)制備高質(zhì)量GaN外延薄膜：先在570 ℃下生長低溫層，隨后升溫到1080 ℃生長功能層，在成核層中位錯被充分釋放，功能層貫穿位錯（Threading dislocations）密度可低至2×108cm−2，如圖2(b)所示。

在此基礎(chǔ)上，研究人員將低溫成核層技術(shù)與其他技術(shù)相結(jié)合，獲得更高質(zhì)量的GaN外延薄膜。2018年，Woo等[16]利用金屬遷移增強的外延生長技術(shù)，將低溫下金屬催化劑形成的金屬簇作為晶種，產(chǎn)生大量的成核位點，從而生長出螺旋位錯（Screw dislocation）密度低至4.2×108cm−2的GaN外延薄膜，如圖2(c)所示。圖2(d)所示，這種低溫生長的低溫氮化鎵（LT-GaN）具有光滑的表面（RMS為0.38 nm）。

1.3 選區(qū)生長技術(shù)

低溫成核層技術(shù)便于生長大面積、低成本的GaN外延薄膜，但一般需要轉(zhuǎn)移、刻蝕等后處理才可應用于特定器件的制備中。相比之下，選區(qū)生長技術(shù)能直接在限定區(qū)域內(nèi)獲得高質(zhì)量GaN材料，降低了器件制備難度。

選區(qū)生長技術(shù)將材料的生長限制在窗口內(nèi)，如圖3(a)所示，這種技術(shù)可以抑制位錯的橫向遷移，減小位錯衍生的概率；同時通過位錯瓶頸機制，減小位錯向上位移的概率[17]；此外，還可以避免形成結(jié)合面，更好的調(diào)控納米結(jié)構(gòu)的尺寸[18]。2000年，Suda等[19]通過選區(qū)生長首次在3C-SiC襯底上得到了GaN外延薄膜，如圖3(b)。該團隊采用SiO2作為掩膜，使用金屬氧化物分子束外延（MOMBE）方法，控制襯底表面上的化學反應性和幾何形貌，得到了質(zhì)量可觀的GaN外延薄膜。掩膜有效限制了位錯的衍生與移動，控制生長區(qū)域的同時保障了外延薄膜的質(zhì)量。

此外，選區(qū)生長技術(shù)也廣泛用于生長GaN納米材料。2021年，Gridchin等[20]在SiOx/Si襯底上利用分子束外延（MBE）選區(qū)生長得到一種高質(zhì)量的GaN納米線。圖3(c)的掃描電鏡（SEM）圖像表明，在非晶態(tài)SiOx襯底上生長得到的對照組分布密度高達2.5×109cm−2，且出現(xiàn)了部分結(jié)合面，而選區(qū)生長組則為8×108cm−2，幾乎不存在結(jié)合面；說明選區(qū)生長可確保生長材料的均勻分布。然而Si基掩膜可能帶來的污染與無意摻雜限制了其使用。為解決這一問題，2020年，Sobanska等[21]利用非晶AlxOy成核層，采用壓力輔助分子束外延法（PAMBE）實現(xiàn)了GaN納米結(jié)構(gòu)的選區(qū)生長，AlxOy條紋誘導特定參數(shù)的GaN納米線生成，如圖3(d)所示。2022年，Oh等[22]選擇多晶γ–氧化鋁作為掩膜，通過原子層沉積方法（ALD）實現(xiàn)微GaN陣列的選區(qū)生長。由于氧化鋁基掩膜層與藍寶石襯底材料組成相同，降低了外延材料受污染的可能性，顯著提高GaN納米線的質(zhì)量。

2. 器件設(shè)計

在不斷發(fā)展的各類GaN外延薄膜的缺陷控制技術(shù)基礎(chǔ)上，研究人員對器件的結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到了具有高響應度、低暗電流、低響應時間等特點的自供電光電探測器。本文將分別從p–n接觸和肖特基接觸兩類形成內(nèi)建電場的結(jié)構(gòu)對器件設(shè)計進行介紹。

2.1 p–n結(jié)型自供電紫外光電探測器

依托兩側(cè)半導體之間的費米能差，p–n結(jié)型探測器可以自發(fā)形成內(nèi)建電場，具有出色的自供電潛力[23]。p–n結(jié)型紫外光電探測器憑借高量子效率、低暗電流、低噪聲、高線性度等特點，受到研究人員的關(guān)注。

目前，已有大量的材料被用于和GaN形成p–n結(jié)，如ZnO/GaN[24]、Ga2O3/GaN[25]、SnO2/GaN[26]、BaTiO3/GaN[27]等。其中ZnO有高導電性、高穩(wěn)定性和成熟的制備工藝，且與GaN形成的異質(zhì)結(jié)具有較小的失配率，減少了由于晶格不匹配造成的可能缺陷[28−31]，成為出色的候選結(jié)構(gòu)。

為改善ZnO和GaN兩種異質(zhì)材料之間較大的禁帶寬度差帶來的影響，2017年，Zhou等[32]將硫化鎘（CdS）作為插入層應用于ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)中，能帶結(jié)構(gòu)圖前后變化如圖4(a)所示。階梯狀能帶促進了載流子流通，減少了電子空穴的復合。該器件的響應率為176 mA·W−1，探測率高達1012cm·Hz0.5·W−1，是同條件下無插入層器件的6倍。2019年，Huang等[33]對插入層技術(shù)進一步改良，在ZnO/GaN異質(zhì)結(jié)中引入了CsPbBr3插入層。該材料的長載流子擴散長度和低復合率增強了電子空穴對的分離，對探測器性能的提升效果更加顯著，器件的峰值響應率和探測率分別達到了44.53 mA·W−1和2.03×1012cm·Hz0.5·W−1，響應時間為160和150 ms（分別表示上升段時間與下降段時間）。

除了使用插入層外，2022年，Peng等[34]改用ZnO納米線代替ZnO薄膜，制備了一種基于p-GaN/n-ZnO異質(zhì)結(jié)構(gòu)的自供電柔性紫外光電探測器。該研究利用納米線結(jié)構(gòu)提高光電探測器的光學吸收效率，同時通過施加外部應變，利用壓電效應來調(diào)節(jié)p-GaN/n-ZnO異質(zhì)結(jié)紫外光電探測器的能帶結(jié)構(gòu)，增強內(nèi)置電場和擴大耗盡區(qū)域來加快載流子分離，在325 nm、零偏壓下，檢測率（6.82×1013cm·Hz0.5·W−1）和開關(guān)比（7.36×106）相比于同種類的薄膜器件都由極大的提升，具有較快的響應速度，即響應時間低至6.9和6.4 ms，如圖4(b)所示。該研究不僅介紹了一種新的制備工藝流程，同時為受應變調(diào)控的紫外光電探測器的發(fā)展提供了可能性。

氧化鎵（Ga2O3）同樣作為可與GaN形成異質(zhì)結(jié)來制備自供電紫外光電探測器的潛力材料之一，其超寬帶隙的結(jié)構(gòu)使之在深紫外光探測方面占據(jù)絕對的優(yōu)勢[35−36]。2022年，Ma等[37]報道了一種自供電Ga2O3/p-GaN深紫外光電探測器，利用MOCVD制備了具有原位氮氧化鎵（In-situGaON）層的Ga2O3/p-GaN異質(zhì)結(jié)，在深紫外波段有著超高響應率。如圖4(c)所示，In-situGaON層的存在顯著增強了器件對入射光的吸收能力，在零偏壓下，254 nm波長處具有3.8 A·W−1的響應率，響應時間為66和36 ms。

然而由于摻雜劑低溶解度、天然缺陷的補償效應、深能級雜質(zhì)等因素[38]，寬帶隙氧化物和氮化物等寬禁帶半導體難以獲得有效p型摻雜，在與n型材料相結(jié)合時，產(chǎn)生的內(nèi)建電場較弱。為改善這一問題，部分研究人員將目光放在了具有免摻雜特性的材料上。

硫化鎵（GaS）屬于III族單硫族化合物（MX），具有天然的p型摻雜特性，基于其厚度可調(diào)的能帶間隙為2.6~3.1 eV，因此可以免去摻雜過程，是理想材料之一。2023年，作者團隊首次提出了將GaS/GaN應用于自供電紫外光電探測器中[39]，GaS/GaN異質(zhì)結(jié)具有優(yōu)異的電學和光學性質(zhì)，II型能帶結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了超強內(nèi)置電場，可以實現(xiàn)高靈敏度的紫外光探測。制備出的器件在365 nm、0 V下有超高的靈敏度和檢測率（6.26 mA·W−1，8.29×109cm·Hz0.5·W−1），同時器件還具有超低響應時間，響應時間達到了驚人的48和80 μs，如圖4(d)所示。該研究為制備高質(zhì)量的GaS/GaN異質(zhì)結(jié)提供了較為理想的方案，證明了其在自供電紫外光電探測器的應用潛力。

2.2 肖特基結(jié)型自供電紫外光電探測器

相比于p–n結(jié)型紫外光電探測器，肖特基結(jié)型器件具有低成本制造的優(yōu)點，更容易實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)與應用，但肖特基接觸點的穩(wěn)定性和質(zhì)量有待改善。到目前為止，對不同半導體制成的肖特基型自供電紫外光電探測器，已有研究報道。

使用金屬–半導體–金屬（MSM）結(jié)構(gòu)為優(yōu)化肖特基結(jié)型探測器的一種常見方法[40−43]，此結(jié)構(gòu)具有較低的單位電容，可有效地降低器件的響應時間，同時和場效應晶體管器件高度匹配，適合于器件的集成[44]。2017年，Aggarwal等[45]報道了使用不同尺寸金金屬作為GaN基紫外光電探測器的電極時，電勢的分布受到金屬–半導體結(jié)內(nèi)金屬電極的大小的影響[46]，產(chǎn)生了不對稱的內(nèi)建電場，在紫外光照射下形成的能帶結(jié)構(gòu)如圖5(a)所示。該器件暗電流低至90 nA，光響應率則達到了132 mA·W−1，響應時間為63和27 ms。

研究人員就MSM結(jié)構(gòu)探測器的改良提出各類方案，其一是加強探測器對紫外光的吸收能力。2021年，Teker等[47]使用鎳納米顆粒修飾MSM型自供電紫外光電探測器，入射光和金屬鎳中的電子振蕩發(fā)生共振耦合，使入射光子的能量極快地傳遞給鎳納米顆粒，然后轉(zhuǎn)移給GaN外延薄膜內(nèi)，增加了被激發(fā)的載流子的數(shù)目，該現(xiàn)象被稱為局部表面等離激元（LSPR）效應[48−49]。如圖5(b)所示，對比未修飾器件，光電流明顯增強，探測率從2.81×1013cm·Hz0.5·W−1增加到7.19×1013cm·Hz0.5·W−1，暗電流低至5.69 pA，響應時間最低可達50和95 ms。

此外，也可以通過加強能帶分布的不對稱性，促進光生載流子的分離及運輸。2021年，Wang等[50]在MSM型自供電紫外光電探測器的一側(cè)電極下方沉積了鋁鎵氮（AlGaN）薄膜，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)處的極化效應產(chǎn)生額外電場，從而改變原有的能帶結(jié)構(gòu)，如圖5(c)所示，加入AlGaN前后光譜響應率對比如圖5(d)所示。該器件的響應率在零偏壓下為0.005 A·W−1，在3 V的偏壓下能達到13.56 A·W−1，這一報道為MSM結(jié)構(gòu)的紫外光電探測器提供了新的設(shè)計思路。

3. 自供電GaN基紫外光電探測器集成

在自供電GaN基紫外光電探測器研究中，單一器件結(jié)構(gòu)難以滿足日益多樣的應用需求。同時當前結(jié)構(gòu)設(shè)計無法抵消不利影響，尤其在應對持續(xù)光電導等效應時顯得不足。為應對這一問題，集成技術(shù)的引入顯得尤為迫切，在克服不利效應的同時，賦予探測器更廣泛的多功能特性。

3.1 自供電GaN基光電探測器與微型加熱器集成

研究表明，低溫下接觸界面處會產(chǎn)生持續(xù)光電導（PPC）效應[51]。PPC效應使器件需要數(shù)小時到數(shù)天的時間恢復起始態(tài)，阻礙了器件的連續(xù)使用。2017年，Hou等[52]研究了恢復時間與工作溫度的關(guān)系，如圖6(a)所示。他們提出設(shè)計原位加熱探測器，提高載流子俘獲速率來進行縮短恢復時間[52−53]。

基于這一思路，2020年，Sun等[54]設(shè)計了一種具有集成式微加熱器的WO3/AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)光電探測器。微型加熱器通過連續(xù)脈沖加熱的方式提高了載流子俘獲速率，將探測器的衰減時間縮短了30%~45%，恢復時間可以縮短到數(shù)百秒，如圖6(b)所示。

與此同時，科研人員還發(fā)現(xiàn)集成微型加熱器可以提升探測性能。2021年，Tang等[55]通過研究發(fā)現(xiàn)，對金屬–異質(zhì)結(jié)–金屬（MHM）型探測器適當提高溫度，不但可以抑制PPC效應，還可以改善載流子輸運特性，提高響應度。圖6(c)和6(d)為溫度變化時MHM型探測器電流與響應度的變化情況。對于MHM型AlGaN/GaN探測器，溫度從25 °C上升到250 °C，光響應度上升了約3.5倍，而光電流的衰減時間下降了大約3個數(shù)量級，具有出色的應用前景

3.2 自供電GaN基光電探測器與發(fā)光二極管集成

除了抑制PPC等效應外，日益增多的市場需求對器件集成提出了新的要求。通過與發(fā)光二極管集成，探測器不但可以提升性能，還顯示出在諸多應用領(lǐng)域的巨大潛力，如物聯(lián)網(wǎng)以及顯示和通信領(lǐng)域等[56−57]。

2013年，Brubaker等[58]報道了一種氮化物發(fā)射器與探測器的耦合，受PPC效應的影響，該集成器件的響應時間高達數(shù)百秒。為了降低響應時間，2014年，Tchernycheva等[59]將發(fā)光二極管（LED）與探測器通過SiN波導連接集成，降低了傳輸距離與傳輸反射損失，獲得的GaN基光子平臺電流軌跡和開關(guān)信號的過渡時間低于0.5 s，實現(xiàn)了快速響應。但他們也指出，這種集成并未改善器件的其他性能，如開關(guān)比、響應度等。

針對這個問題，2021年，Lyu等[57]提出了調(diào)控二維電子氣（2DEG）的解決方法。他們基于AlGaN/GaN/Si平臺，將紫外LED與光電探測器進行集成。通過改變LED端電壓（VLED），控制界面處2DEG中溝道的開關(guān)，實現(xiàn)了超過106的開關(guān)比、高達3.5×105A/W的響應度，如圖7(b)~7(d)所示。這種單片式集成在緊湊型光隔離器等許多領(lǐng)域具有很大的潛力，但受電容等寄生參數(shù)影響，在高頻領(lǐng)域的應用仍較為有限。

為了獲得更好的高頻特性，研究人員提出級聯(lián)的解決方法。2022年，Wang等[60]對GaN基LED和光電探測器的集成級聯(lián)技術(shù)進行了優(yōu)化，從而降低了電容，高頻性能得到了顯著提升，同時暗電流也降低到pA數(shù)量級，開關(guān)比達到106數(shù)量級，如圖7(a)所示。同年，Shi等[61]利用LED和光電探測器的集成設(shè)計并制作了一種Si襯底InGaN/GaN多量子阱垂直結(jié)構(gòu)可見光通信器件，其數(shù)據(jù)速率可以超過10 Gbit/s，而誤碼率在一定范圍內(nèi)可以低至3.8×10−3，這表明了LED與探測器的集成在通信領(lǐng)域的應用潛力。

4. 總結(jié)與展望

本文從外延生長、結(jié)構(gòu)設(shè)計、器件集成3個角度闡述了自供電GaN基紫外光電探測器的發(fā)展現(xiàn)狀。在外延生長方面，研究人員采用插入層技術(shù)、低溫生長技術(shù)以及選區(qū)生長技術(shù)等生長GaN外延薄膜，實現(xiàn)了位錯密度的大幅降低，螺位錯密度降低到6.5×107cm−2[11]。在此基礎(chǔ)上，通過設(shè)計器件結(jié)構(gòu)，p–n結(jié)型探測器和肖特基結(jié)型探測器的各項性能指標都得到提高，響應度從以往工作中的44.53 mA/W[33]提高到3.8 A/W[38]，探測率則可以達到7.19×1013cm·Hz0.5·W−1[47]，比過往性能高出數(shù)十倍；響應時間低至48和80 μs[39]。同時，探測與微型加熱器的集成使得器件連續(xù)工作能力得到了極大的改善，器件的恢復時間降低到了數(shù)秒；探測器與發(fā)光二極管的集成則讓其應用領(lǐng)域得到了進一步的拓展，在物聯(lián)網(wǎng)與通信顯示領(lǐng)域嶄露頭角。

雖然這些研究已經(jīng)取得了顯著的成果，但外延生長以及器件制備仍然面臨著一些問題。針對這些問題，本文提出了一些解決方法：

（1）GaN材料的位錯密度仍處于較高水平。這需要進一步發(fā)展出色的GaN缺陷控制技術(shù)，比如先通過選區(qū)生長引入合適的AlN插入層，再用低溫成核層技術(shù)生長高質(zhì)量的GaN外延薄膜或是探索開發(fā)與GaN材料晶格失配和熱失配更小的新型襯底材料，如自支撐GaN襯底技術(shù)。

（2）自供電紫外光電探測器的探測性能仍不及普通的紫外光電探測器。因此需要進一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)設(shè)計與器件制備技術(shù)。一方面，可以通過增強活性層對紫外光的吸收效率，產(chǎn)生更多的光生載流子，比如通過沉積納米顆粒，利用表面等離激元共振效應增強吸收，或者是采用透明電極來提高紫外光透過率；另一方面，可以通過設(shè)計能帶結(jié)構(gòu)加強內(nèi)建電場，促進電子–空穴對的快速分離。

（3）集成器件的高頻特性亟需提升。通過級聯(lián)集成雖然可以提升器件的性能，但集成過程中內(nèi)部走線帶來的寄生參數(shù)會影響器件在高頻環(huán)境下的使用，故需要探索新型集成技術(shù)，研究寄生參數(shù)小的走線或者選擇無走線的封裝集成技術(shù)以提高高頻特性。

綜上，自供電GaN基紫外光電探測器以其在光電性能和半導體材料特性上的優(yōu)越性，為紫外光探測領(lǐng)域帶來了新的可能性。其獨特的自供電原理、高性能的器件結(jié)構(gòu)以及廣泛的應用領(lǐng)域，使其成為當前光電技術(shù)研究的熱點之一。相信在科研工作者的持續(xù)努力下，自供電GaN基紫外光電探測器的性能必將得到提升，實現(xiàn)在紫外光通信、生物醫(yī)學、環(huán)境監(jiān)測等領(lǐng)域的廣泛的應用，為光電子學領(lǐng)域帶來新的發(fā)展契機。

文章來源——金屬世界