- [檢測(cè)百科]分享：GaN外延材料及其自供電紫外光電探測(cè)器研究進(jìn)展2024年05月11日 13:04
- 目前紫外光電探測(cè)器的主流仍為硅（Si）基探測(cè)器；Si作為一種間接帶隙半導(dǎo)體（帶隙約為1.12 eV），截止波長約為1100 nm，本征吸收不在紫外波段，故Si基紫外光電探測(cè)器需加裝濾光片才能實(shí)現(xiàn)高效紫外探測(cè)[2]。相比之下，新興的氮化鎵（GaN）材料作為一種直接帶隙半導(dǎo)體，具有更寬的帶隙（約為3.4 eV）和更好的載流子分離能力，突破了Si材料的物理極限[3?5]。
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